CH3-COO-CH2-CH3中氢原子的化学位移排序是什么？为什么？

1.化学位移是由于电子的屏蔽作用而引起的核磁共振吸收位置的移动。 2.化学位移绝对值的差别很小，要精确测量难度很大，所以需要选定一个标准物质，将其核磁共振吸收峰的位置定为零，采用相对数值表示法来表示化合物吸收峰的位置。 3.常用的标准物质为四甲基硅烷（TMS）， 化学位移=0。 原因： （1）TMS为对称分子，四个甲基上所连H化学环境相同，属于化学等价质子，其吸收峰只有一个； （2）硅与碳属于同一主族元素，电负性相差不大，TMS中的质子所受屏蔽作用较大，共振吸收峰出现在高场。 4.绝大多数有机物中质子所受屏蔽效应比TMS 小，吸收峰处于低场，在TMS吸收峰的左侧 5.影响化学位移的因素 (1) 电负性： 吸电子基团使得H核周围的电子云密度降低，屏蔽效应减小，化学位移值 增大； 给电子基团使得H核周围的电子云密度升高，屏蔽效应增大，化学位移值 减小。 (2) 值会随着H核与吸电子基团距离的增大而减小。 （可理解为：H核距离吸电子基团越远，H核周围电子云密度降低得越少，屏蔽效应越大，化学位移越小） 总结： (1)化学位移与H核周围的电子云密度有关，可根据H核周围的电子云密度判断化合物吸收峰与标准物质吸收峰的位置关系。 (2)处于屏蔽区的质子，化学位移向高场移动；处于去屏蔽区的质子，化学位移向低场移动。 (3)高场位于标准物质的右边，低场位于标准物质的左边。 例如：卤素原子为吸电子基团，H核周围的电子云密度降低，屏蔽效应减小，化学位移值 增大，位于低场，在标准物质吸收峰的左边。 祝各位小伙伴们端午节快乐！过节也不忘学习哦~~~

原子核在磁场的作用下会发生自旋，当吸收外来电磁辐射时，会发生核自旋能级的跃迁，产生核磁共振现象，有机化合物中，处在不同结构和位置上的各种氢核周围的电子云密度不同，导致共振频率有差异，产生共振吸收峰的位移，称为化学位移。

化学位移：质子由于在分子中所处的化学环境不同，而有不同的共振频率。化学位移伪影是指由于化学位移现象导致的图像伪影。由于化学位移现象，脂肪中的质子与水中的质子进动频率存在差异，在影像上表现为脂肪与水的界面上出现黑色和白色条状或月牙状的阴影。常发生在频率编码方向上，随着静磁场强度增加，伪影表现严重。已知总接收带宽和频率编码步数，化移伪影的大小是可以预估的。例如，若总接收带宽设32kHz，频率编码方向上分256个像素，则单个像素的带宽为32000/256=125Hz。考虑到1.5T上水-脂频差是215Hz，则相应的化移伪影大小 (215Hz) / (125Hz/pixel)=1.7pixels。显然，减小像素带宽会加重伪影。所以对于化移伪影有可能模糊界面的部位，如视神经和眼眶脂肪，就要注意避免使用窄带类成像技术。因为化移伪影是一种基于频率的磁共振信号空间重建的错位，所以典型地主要在频率编码也就是读出梯度方向上。但回波平面成像时例外，化移伪影发生于影像的相位编码方向上。另外，在2D傅立叶变换成像中，层面选择/定义也是根据不同层面的对应频率来的。所以化移伪影不仅会出现在层面内，而且会发生于层间。这种层间的化移伪影表现为某些解剖结构部位的暗环或亮环；还有一些不够显著，导致图像质量的不同程度的下降。最后要说明的是，要明白不仅是在水-脂之间有化移伪影，任何两种物质间都有。例如，眼科用的硅油和水之间的化移在4.4ppm，填胸矽胶和水4.7ppm。所以，在胸、头、颈以及四肢等部位，有硅注射或植入物的地方，就会出现化学位移伪影。

【答案】：化学位移指在有机化合物中，各种氢核周围的电子云密度不同(结构中不同位置)，共振频率有差异，引起共振吸收峰的位移。

化学位移：由于有机分子中各种质子受到不同程度的屏蔽效应，因此在核磁共振谱的不同位置上出现吸收峰。某一物质吸收峰的位置与标准质子吸收峰位置之间的差异称为该物质的化学位移，常以δ表示。磁等性质子：在有机分子中，化学环境相同的一组原子称为磁等性质子。例如，四甲基硅烷，苯，环戊烷，甲烷，丙酮中的质子都是磁等性质子。化学位移相同。磁不等性质子：在有机分子中，化学环境不相同的质子称为磁不等性质子。例如，氯乙烷分子中甲基上的氯与亚甲基上的氢是磁不等性质子，2-聚丙烯中碳碳双键上的两个质子也是磁不等性质子。化学位移不相同。

化学位移是核磁共振中的一种术语，是化学环境所引起的核磁共振信号位置的变化，具体是用数字来进行表达。如果你是大学生，有空去帮师兄师姐做做实验你就会很了解，核磁共振是化合物结构解析的常用手段。 化学位移的产生: 在外磁场的作用下，核外电子会产生方向相反的感应磁场，即屏蔽作用，使原子核实际感受到的磁场强度减弱，共振频率随之改变。由于核所处的化学环境不同，导致核周围电子云密度不同所引起的共振吸收峰的位移现象称为化学位移。 影响因素可表现为:1.内因： 有吸电子基团的向低场移动，因为屏蔽作用减少，弛豫所需的外磁场强度可以不用很高；共轭效应的向低场移动，如苯环上的H向低场移动；还有就是各向异构引起的，比如苯环的上方空间，不是苯环上的H向高产移动，三键的键方向的向高产移动，双建上方的H向高产移动。这些有机化学的课本上都有，注意分类，别弄混淆； 2.外因：溶剂，温度，低温的时候有的单峰肯能会列分成双峰。

化学位移是NMR（核磁共振波谱）的术语。表征在不同化学环境下的不同H-1,C-13,P-31,N-15等元素在波谱上出现的位置。就外部因素来说，氘代溶剂对化学位移有一定影响，如用氘代氯仿和氘代DMSO会导致同一H或C的化学位移有变化，但不是很大。影响化学位移的主要因素是所测元素周围的化学环境。例如烯烃上的H或C的化学位移比饱和烷烃的H或C的化学位移要大的多，即在低场出现。更具体和详细的内容请参考有关的波谱专著。

内因：吸电子基团、各向异构。外因：溶剂，温度。化学位移是核磁共振中的一种术语，是化学环境所引起的核磁共振信号位置的变化。影响因素有：内因：有吸电子基团的向低场移动（因为屏蔽作用减少，弛豫所需的外磁场强度可以不用很高）；共轭效应的向低场移动(如苯环上的H向低场移动)；还有就是各向异构引起的，比如苯环的上方空间（不是苯环上）的H向高产移动，三键的键方向的向高产移动，双建上方的H向高产移动。这些有机化学的课本上都有，注意分类，别弄混淆。外因：溶剂，温度（低温的时候有的单峰肯能会列分成双峰，如DMF的）。拓展资料：1950年，W. G. Proctor 和当时旅美学者虞福春研究硝酸铵的14N NMR时，发现硝酸铵的共振谱线为两条。显然，这两条谱线对应硝酸铵中的铵离子和硝酸根离子，即核磁共振信号可反映同一种核的不同化学位移。有机化合物中的质子与独立的质子不同，它的周围还有电子，在电子的影响下，有机化合物中质子的核磁共振信号的位置与独立的质子不同。化学位移（chemical shift)既是原子核如质子由于化学环境所引起的核磁共振信号位置的变化。参考资料：中国知网-NMR化学位移经验公式的影响因素

化学位移、偶合常数及峰面积积分曲线分别提供含氢官能团、核间关系及氢分布等三方面的信息。中：（1）峰的数目：标志分子中磁不等价质子的种类；（2）峰的强度(面积)：每类质子的数目(相对)；（3）峰的位移(δ)：每类质子所处的化学环境；（4）峰的裂分数：相邻碳原子上质子数；（5）偶合常数(J)：确定化合物构型。扩展资料：化学位移符号δ虽称不上精准但广泛存在，因此常常作为谱学分析中的重要参考数据。范围一般在 ±0.2ppm，有时更大。确切的化学位移值取决于分子的结构、溶剂、温度及该NMR分析所用的磁场强度及其他相邻的官能团。氢原子核对键结氢原子的混成轨域和电子效应敏感。核子经常因吸引电子的官能基解除屏蔽。未屏蔽的核子会反应较高的δ值，而有屏蔽的核子δ值较低。官能基如羟基（-OH）、酰氧基（-OCOR）、烷氧基（ -OR ）、硝基（-NO2）和卤素等均为吸引电子的取代基。 这些取代基会使Cα上相连的氢峰向低场移动大约2-4 ppm， Cβ上相连的氢峰向低场移动大约1-2 ppm。Cα是与取代基直接相连的碳原子， Cβ是与Cα相连的碳原子.羰基,碳碳双键和芳香环等含“sp2” 杂化碳原子的基团会使其Cα上相连的氢原子峰向低场移动约1-2 ppm 。

化学位移中数字越大是低场，不是高场。因为低场矢量为0的分力越小，而分力越小，越容易产生位移，所以化学位移中数字越大是低场。

化学位移1.7是烷烃氢1.7ppm。根据查询相关公开信息显示。化学位移1.7ppm：因核所处化学环境改变而引起共振条件(核的共振频率或磁场强度)变化的现象，称为化学位移。(1)δ值越大，屏蔽作用越小，吸收峰出现在低场(2)δ值越小，屏蔽作用越大，吸收峰出现在高场影响化学位移的因素及化学位移表。

化学位移高场和低场意思如下：化学位移是一种原子或分子的拉伸或弯曲反应，它可以改变分子的形状和结构。高场和低场的意思是，分子拉伸或弯曲的程度，在高场的情况下，分子拉伸的程度比较高，而在低场的情况下，分子拉伸的程度比较低。这种反应可以改变分子的物理性质，如溶解度、熔点、融合温度等，因此在化学中得到广泛应用。

比如位移是7.801和7.809. 你测试的条件是300M核磁。纳米J=(7.809-7.801)×300=2.4 普通耦合常数就这样计算。复杂的就比较难了。简单说就是两个峰位移之差，乘以核磁的兆赫数就OK了，简单而言，如果你用的是400MHz的核磁，那么就将两个峰的位移之差，比如0.008，乘以400就OK了，耦合常熟是0.008*400=3.2，耦合常数有正有负，一般只写正数。将分子中氢-1的核磁共振效应体现于核磁共振波谱法中的应用。可用来确定分子结构。当样品中含有氢，特别是同位素氢-1的时候，核磁共振氢谱可被用来确定分子的结构。氢-1原子也被称之为氕。扩展资料：简单的分子有着简单的谱图.氯乙烷的谱图中包含一个位于1.5ppm的三重峰和位于3.5ppm的四重峰，其积分面积比为3:2。苯的谱图中只有位于7.2ppm处的单峰，这一较大的化学位移是芳香环中的反磁性环电流的结果。通过与碳-13核磁共振协同使用，核磁共振氢谱成为了表征分子结构的一个强有力的工具。化学位移符号δ虽称不上精准但广泛存在，因此常常作为谱学分析中的重要参考数据。范围一般在 ±0.2ppm，有时更大。确切的化学位移值取决于分子的结构、溶剂、温度及该NMR分析所用的磁场强度及其他相邻的官能团。氢原子核对键结氢原子的混成轨域和电子效应敏感。核子经常因吸引电子的官能基解除屏蔽。未屏蔽的核子会反应较高的δ值，而有屏蔽的核子δ值较低。参考资料来源：百度百科——核磁共振氢谱

化学位移的单位怎么是ppm的原因是：ppm的意思是百万分之一。而化学位移，其实是一个相对位移。比如当使用200MHz的NMR时，某个位移值为200Hz，这时就采用相对位移，用200Hz去除以200MHz，得到的相对位移是百万分之一，也就是1ppm。化学位移的定义：用核磁共振仪可以记录到有关信号，处在不同化学环境中的氢原子因产生共振时吸收电磁波的频率不同，在谱图上出现的位置也不同，各类氢原子的这种差异被称为化学位移。其计算公式为：

　　化学位移是核磁共振中的一种术语，是化学环境所引起的核磁共振信号位置的变化，具体是用数字来进行表达（相对的，通常使用四甲基硅烷作为基准）。如果你是大学生，有空去帮师兄师姐做做实验你就会很了解，核磁共振是化合物结构解析的常用手段。　　影响因素有：　　内因：有吸电子基团的向低场移动（因为屏蔽作用减少，弛豫所需的外磁场强度可以不用很高）；共轭效应的向低场移动(如苯环上的H向低场移动)；还有就是各向异构引起的，比如苯环的上方空间（不是苯环上）的H向高产移动，三键的键方向的向高产移动，双建上方的H向高产移动。这些有机化学的课本上都有，注意分类，别弄混淆。　　外因：溶剂，温度（低温的时候有的单峰肯能会列分成双峰，如DMF的）。

核磁共振中,化学位移本身是有单位的,其单位是Hz,之所以最终没有单位,是因为我们常说的化学位移指的是化学相对位移.打个比方,当使用200MHz的NMR时,某个位移值为200Hz,这时就采用相对位移,用200Hz去除以200MHz,得到的是百万分之一,也就是1ppm；之所以这么表示是因为,位移值会随着机器的不同而改变,例如刚才的例子,在400MHz的NMR下,位移值是400Hz,只是相对位移不变,仍然是1ppm；

是希腊字母 δ，读delta，即“德尔塔”。

氢谱在核磁共振内有一个峰值,其出现化学位移是因为连接的官能团的影响,极性官能团与非极性官能团对氢谱的影响是一向左移,一向右移.自己根据这个再找几个核磁共振谱对照一下就非常明白了.

炔烃上的碳化学位移可以到100以上13C的化学位移亦以四甲基硅为内标，规定δTMS = 0，其左边值大于0，右边值小干0。与1H的化学位移相比，影响13C的化学位移的因素更多，但自旋核周围的电子屏蔽是重要因素之一， 因此对碳核周围的电子云密度有影响的任何因素都会影响它的化学位移。碳原子是有机分子的骨架，氢原子处于它的外围，因此分子间碳核的互相作用对δc的影响较小，而分子本身的结构及 分子内碳核间的相互作用对δc影响较大。碳的杂化方式、分子内及分子间的氢键、各种电子效 应、构象、构型及测定时溶剂的种类、溶液的浓度、体系的酸碱性等都会对δc产生影响。如今已 经有了一些计算δc的近似方法，可以对一些化合物的δc作出定性的或半定量的估算，但更加完 善的理论还有待于进一步的探讨研究。下表是根据大量实验数据归纳出来的某些基团中C的化学位移，表中黑体字的碳是要研究的对象。 一些特征碳的化学位移碳的类型 化学位移 碳的类型 化学位移 CH4 -2.68 醚的α碳（三级） 70～85 直链烷烃 0～70 醚的α碳（二级） 60～75 四级C 35～70 醚的α碳（一级） 40～70 三级C 30～60 醚的α碳（甲基碳） 40～60 二级C 25～45 RCOOH RCOOR 160～185 一级C 0～30 RCOCl RCONH2 160-180 CH2=CH2 123.3 酰亚胺的羰基碳 165～180 烯碳 100～150 酸酐的羰基碳 150-175 CH≡CH 71.9 取代尿素的羰基碳 150～175 炔碳 65～90 胺的α碳（三级） 65～75 环丙烷的环碳 — 2.8 胺的α碳（二级） 50～70 (CH2)n　4～7 22～27 胺的α碳（一级） 40～60 苯环上的碳 128.5 胺的α碳（甲基碳） 20～45 芳烃，取代芳烃中的芳碳 120～160 氰基上的碳 110～126 芳香杂环上的碳 115～140 异氰基上的碳 155～165 -CHO 175～205 R2C=N-OH 145～165 C=C-CHO 175～195 RNCO 118～132 α-卤代醛的羰基碳 170～190 硫醚的α碳（三级） 55～70 R2C=O（包括环酮）的羰基碳 200～220 硫醚的α碳（二级） 40～55 不饱和酮和芳酮的羰基碳 180～210 硫醚的α碳（一级） 25～45 α-卤代酮的羰基碳 160～200 硫醚的α碳（甲基碳） 10～30

酚羟基的氢属于活泼氢，化学位移一般在9-11左右，在氘代溶剂中会和溶剂中的氘或者氢原子（来自残余水分）发生交换，所以经常会发生宽化（氯仿-d）或者消失(重水，甲醇-d4)。其他的氢都应该在6-7之间。

1、红外光谱.双键吸收峰在1680－1610cm-1，三键吸收峰在2260－2100cm-1。2、核磁共振氢谱.双键碳原子上的氢化学位移在5－7ppm，三键碳原子上的氢化学位移在2－4ppm。3、核磁共振碳谱，双键碳化学位移约20ppm，三键碳化学位移约5ppm。

读取核磁共振氢谱氢信号的化学位移,一是为了解析分子结构,一是为了发表文章报道使用. 为解析结构,只需要精确到小数点后2位即可,后面的四舍五入. 发表论文时,也基本上读到小数点后2位即可. 只在解析高级谱图时,才需要读到小数点后4位,以便于计算使用. 对NMR谱图的峰信号,不论信号峰的形状是否规则、是否对称,信号峰的化学位移值总是位于整个信号峰把基线进行添加后构成封闭图形后的质量重心位置的横坐标上. 为此,先对信号峰进行谱峰分组,再求解包括化学位移在内的所有谱图信息参数. 对谱的每一组峰群进行分组,求解出每一个峰组的谱图信息参数：峰形（宽窄）,分裂峰数（单峰s,二重峰d,三重峰t,四重峰q,五重峰,六重峰,多重峰M）.峰形与图谱公共基线所围峰面积积分比,化学位移δ值,自旋-自旋耦合常数J值（在非NMR专业论文中,一般都简述这些图谱参数）相互不迭加的谱峰容易进行分组,相互迭加的一级谱或复杂谱,解析的过程也是不断调整进行分组的过程.峰形一般较窄,解析时都是按较窄的峰形处理的.如果较宽,至少是底部较宽时,它的峰较宽的信息本身就代表一定的分子结构信息. 化学位移δ值,现在多使用相对值,即以某一个内标准物质,如四甲基硅等,以内标准物质的NMR信号化学位移δ值为0 ppm或0 Hz,测试物质的信号峰相对于内标物的化学位移δ值.如果NMR谱图内标物信号不在0 位,需要校正之. 常规分裂峰数,s,d,t,q,五重,六重,七重峰,此外还有dd（双二重峰）,dt（双三重峰）,dq（双四重峰）,ddd（双双二重峰）,ddt（双双三重峰）,dddd（双双双二重峰）等峰形,每一种都代表一定的结构信息.有了峰形分组和谱峰组成,才容易求解δ值――峰形质量中心的横坐标.求J值的过程也是不断解析谱图推导分子结构的过程. 单峰s,二重峰d,三重峰t,四重峰q,五重峰,六重峰,多重峰M,如果是左右对称的峰形,化学位移δ值就在对称峰形的中心峰上或中心处横坐标上读出. 对称的dd（双二重峰）,dt（双三重峰）,dq（双四重峰）,ddd（双双二重峰）,ddt（双双三重峰）,dddd（双双双二重峰）等峰形,化学位移δ值也是在对称峰形的中心位置上读出. 如果是高级谱图,其中,一部分是一级谱图的变形,即由于耦合关系、相互耦合的内侧峰线高于外侧峰线的,其化学位移δ值稍向峰高的那一侧偏移,偏移得多少依据质量重心法则.另一部分的高级谱图峰形较复杂,如要近似地读出化学位移δ值也是如此即可.如果要想求解出精确的化学位移δ值,可以按照各种不同类型的高级谱图自旋体系的成套的解析公式进行解析,这些高级谱图的自旋类型的判断、计算、解析的整个内容都是很好的可发表论文的实质内容和精华部分. 教科书中都有这方面的内容和专门知识,可去学习.

因为当核自旋时，核周围的云也随之转动，在外磁场作用下，会感应产生一个与外加磁场方向相反的次级磁场，使外磁场减弱，电子的运动形成电子云。若处于磁场的作用之下，核外电子会在垂直外磁场方向的平面上作环流运动，从而产生一个与外磁场方向相反的感生磁场---屏蔽效应。元素的电负性越大，去屏蔽效应越大，氢核的化学位移δ值越大。从连续波核磁共振波谱发展为脉冲傅立叶变换波谱，从传统一维谱到多维谱，技术不断发展，应用领域也越广泛。核磁共振技术在有机分子结构测定中扮演了非常重要的角色，核磁共振谱与紫外光谱、红外光谱和质谱一起被有机化学家们称为“四大名谱”。 核磁共振谱在强磁场中，原子核发生能级分裂(能级极小：在1.41T磁场中，磁能级差约为25′10-3J)，当吸收外来电磁辐射(10-9-10-10nm,4-900MHz)时，将发生核能级的跃迁----产生所谓NMR现象。射频辐射─原子核(强磁场下，能级分裂)-----吸收──能级跃迁──NMR，与UV-vis和红外光谱法类似，NMR也属于吸收光谱，只是研究的对象是处于强磁场中的原子核对射频辐射的吸收。扩展资料核磁共振技术在有机合成中，不仅可对反应物或产物进行结构解析和构型确定，在研究合成反应中的电荷分布及其定位效应、探讨反应机理等方面也有着广泛应用。核磁共振波谱能够精细地表征出各个氢核或碳核的电荷分布状况，通过研究配合物中金属离子与配体的相互作用，从微观层次上阐明配合物的性质与结构的关系，对有机合成反应机理的研究重要是对其产物结构的研究和动力学数据的推测来实现的。核磁共振是有机化合物结构鉴定的一个重要手段，一般根据化学位移鉴定基团；由耦合分裂峰数、偶合常数确定基团联结关系；根据各H峰积分面积定出各基团质子比。核磁共振谱可用于化学动力学方面的研究，如分子内旋转，化学交换等，因为它们都影响核外化学环境的状况，从而谱图上都应有所反映。核磁共振还用于研究聚合反应机理和高聚物序列结构。H谱、C谱是应用量广泛的核磁共振谱（见质子磁共振谱），较常用的还有F、P、N等核磁共振谱。

烯烃中氢受到的屏蔽效应小于炔烃中氢的屏蔽效应,使得化学位移大于炔烃中氢的化学位移值

羧基的质子由于受两个氧的吸电子作用，屏蔽大大降低，化学位移在低场，化学位移值为10到12

氢原子在分子中的化学环境不同，而显示出不同的吸收峰，峰与峰之间的差距被称作化学位移；化学位移的大小，可采用一个标准化合物为原点，测出峰与原点的距离，就是该峰的化学位移，现在一般采用(CH3)4Si(四甲基硅烷TMS)为标准化合物，其化学位移值为0 ppm。　　核磁共振氢谱中，峰的数量就是氢的化学环境的数量，而峰的相对高度，就是对应的处于某种化学环境中的氢原子的数量。使用核磁共振仪自带的自动积分仪可以对各峰的面积进行自动积分，得到的数值用阶梯式积分曲线高度表示出来。

由于有机分子中各种质子受到不同程度的屏蔽效应，引起外加磁场（ ）或共振频率（v）偏离标准值而产生移动的现象。 但这种屏蔽效应所造成的差异是非常小的，难以精确的测出其绝对值，因此需要一个参照物（reference compound）来做对比，常用四甲基硅烷(CH3)4Si（tetramethylsilane，简写为TMS）作为标准物质，并人为将其吸收峰出现的位置定为零。(TMS中，Si原子电负性较小，电子云可以较多的流到甲基上，因此H核电子云密度大，其屏蔽系数几乎比其它所有物质的都大，若它的化学位移定为零，则其他化合物H核的共振频率都在左侧，因此其它有机试剂的化学位移δ都是负值。)Protons are sensitive to their chemical environment -- electron moving near them produce their own magnetic field, that changes the external field experienced by the proton. Protons in different chemical environments therefore experience slightly different magnetic fields and absorb at different frequencies.The resonance frequencies of the different protons are expressed as chemical shifts relative to a standard.Tetramethylsilane(TMS) is widely used as a standard because it is inert and has a spectrum with a single absorption.

待测物中加一标准物质（如TMS），分别测定待测物和标准物的吸收频率nx和ns，以下式来表示化学位移d：化学位移（d）=（信号位置-TMS峰的位置）X106/核磁共振所用仪器的频率MHz，用ppm单位表示化学位移与仪器的频率无关。

电子云密度，去看失去质子以后得负离子得共振式，共振式当中alfa位得相当稳定至于为什么化学位移一般低场得都是极性更大的，所以自然alfa位的化学位移更大化学位移大的在低场，这个知道吧

化学位移是核磁共振谱仪（Nuclear Magnetic Resonance Spectroscopy-NMR)在磁场中测定有机物质时对应的核（例如C，H，O）对磁场的响应所产生的吸收频率， 用化学位移单位ppm来表示。

氢原子在分子中的化学环境不同，而显示出不同的吸收峰，峰与峰之间的差距被称作化学位移；化学位移的大小，可采用一个标准化合物为原点，测出峰与原点的距离，就是该峰的化学位移，现在一般采用(ch3)4si(四甲基硅烷tms)为标准化合物，其化学位移值为0ppm。

化学位移是核磁共振中的一种术语，是化学环境所引起的核磁共振信号位置的变化，具体是用数字来进行表达（相对的，通常使用四甲基硅烷作为基准）。如果你是大学生，有空去帮师兄师姐做做实验你就会很了解，核磁共振是化合物结构解析的常用手段。 影响因素可以表示为 内因：有吸电子基团的向低场移动（因为屏蔽作用减少，弛豫所需的外磁场强度可以不用很高）；共轭效应的向低场移动(如苯环上的H向低场移动)；还有就是各向异构引起的，比如苯环的上方空间（不是苯环上）的H向高产移动，三键的键方向的向高产移动，双建上方的H向高产移动。这些有机化学的课本上都有，注意分类，别弄混淆。 外因：溶剂，温度（低温的时候有的单峰肯能会列分成双峰，如DMF的）

dd：双二重峰；dt：双三重峰；br.：宽峰；s：单峰；q：四重峰；t：三重峰。氢原子在分子中的化学环境不同，而显示出不同的吸收峰，峰与峰之间的差距被称作化学位移；化学位移的大小，可采用一个标准化合物为原点，测出峰与原点的距离，就是该峰的化学位移。裂分：由于相邻碳上质子之间的自旋耦合，因此能够引起吸收峰裂分。例如，一个质子共振峰不受相邻的另一个质子的自旋偶合影响，则表现为一个单峰，如果受其影响，就表现为一个二重峰，该二重峰强度相等，其总面积正好和未分裂的单峰面积相等。扩展资料：简单的氢谱来自于含有样本的溶液。为了避免溶剂中的质子的干扰，制备样本时通常使用氘代溶剂（氘=2H， 通常用D表示），例如：氘代水D2O，氘代丙酮(CD3)2CO，氘代甲醇CD3OD，氘代二甲亚砜(CD3)2SO和氘代氯仿CDCl3。同时，一些不含氢的溶剂，例如四氯化碳CCl4和二硫化碳CS2，也可被用于制备测试样品。参考资料来源：百度百科-核磁共振氢谱

CH3CH2OH化学位移从高场到低场的顺序是：CH3（1.0ppm）， CH2（3.5ppm），OH（4.2ppm）。其中括号内表示大约的我化学位移，以ppm为单位。化学位移小，磁场高。

化学位移指带有磁性的原子核在外磁场的作用下发生自旋能级分裂，当吸收外来电磁辐射时，将发生核自旋能级的跃迁，从而产生核磁共振现象。在有机化合物中，处在不同结构和位置上的各种氢核周围的电子云密度不同，导致共振频率有差异，即产生共振吸收峰的位移。化学位移的重要性：这是用来推测分子结构的重要参数，不同的官能团在相同的频率下对应的有不同的化学位移数，但是化学位移的差别约为百万分之十，精确测量十分困难，现采用相对数值，以四甲基硅为标准物质。

1.带有磁性的原子核在外磁场的作用下发生自旋能级分裂，当吸收外来电磁辐射时，将发生核自旋能级的跃迁，从而产生核磁共振现象。在有机化合物中，处在不同结构和位置上的各种氢核周围的电子云密度不同，导致共振频率有差异，即产生共振吸收峰的位移，称为化学位移； 2.影响因素:化学位移取决于核外电子云密度，因此影响电子云密度的各种因素都对化学位移有影响，影响最大的是电负性和各向异性效应。此外还有氢键、溶剂效应、范德华效应。

化学位移是核磁共振中的一种术语，是化学环境所引起的核磁共振信号位置的变化，具体是用数字来进行表达(相对的，通常使用四甲基硅烷作为基准)。如果你是大学生，有空去帮师兄师姐做做实验你就会很了解，核磁共振是化合物结构解析的常用手段。影响因素可以表示为内因:有吸电子基团的向低场移动(因为屏蔽作用减少，弛豫所需的外磁场强度可以不用很高);共轭效应的向低场移动(如苯环上的H向低场移动);还有就是各向异构引起的，比如苯环的上方空间(不是苯环上)的H向高产移动，三键的键方向的向高产移动，双建上方的H向高产移动。这些有机化学的课本上都有，注意分类，别弄混淆。外因:溶剂，温度(低温的时候有的单峰肯能会列分成双峰，如DMF的)

定义：由于有机分子中各种质子受到不同程度的屏蔽效应,因此在核磁共振谱的不同位置上出现吸收峰.某一物质吸收峰的位置与标准质子吸收峰位置之间的差异称为该物质的化学位移（chemical shift）,常以δ表示。影响因素内因：有吸电子基团的向低场移动（因为屏蔽作用减少，弛豫所需的外磁场强度可以不用很高）；共轭效应的向低场移动(如苯环上的H向低场移动)；还有就是各向异构引起的，比如苯环的上方空间（不是苯环上）的H向高产移动，三键的键方向的向高产移动，双建上方的H向高产移动。这些有机化学的课本上都有，注意分类，别弄混淆。外因：溶剂，温度（低温的时候有的单峰肯能会列分成双峰，如DMF的）重要性：这是用来推测分子结构的重要参数.不同的官能团在相同的频率下对应的有不同的化学位移数,但是化学位移的差别约为百万分之十,精确测量十分困难,现采用相对数值.以四甲基硅（TMS）为标准物质,规定：它的化学位移为零,然后,根据其它吸收峰与零点的相对距离来确定它们的化学位移值.然后根据谱图便可以推测分子结构了.

外部因素来说， 氘代溶剂对化学位移有一定影响， 如用氘代氯仿和氘代DMSO会导致同一H或C 的化学位移有变化， 但不是很大。影响化学位移的主要因素是所测元素周围的化学环境。 例如烯烃上的H或C的化学位移比饱和烷烃的H或C的化学位移要大的多， 即在低场出现。化学位移是NMR（核磁共振波谱）的术语。 表征在不同化学环境下的不同 H-1, C-13, P-31, N-15等元素在波谱上出现的位置。拓展资料1950年，W. G. Proctor 和当时旅美学者虞福春研究硝酸铵的14N NMR时，发现硝酸铵的共振谱线为两条。显然，这两条谱线对应硝酸铵中的铵离子和硝酸根离子，即核磁共振信号可反映同一种核的不同化学位移。有机化合物中的质子与独立的质子不同，它的周围还有电子，在电子的影响下，有机化合物中质子的核磁共振信号的位置与独立的质子不同。化学位移（chemical shift)既是原子核如质子由于化学环境所引起的核磁共振信号位置的变化。

频率编码方向。在有机化合物中，处在不同结构和位置上的各种氢核周围的电子云密度不同，导致共振频率有差异，即产生共振吸收峰的位移，称为化学位移，正常情况下，化学位移出现于频率编码方向，带有磁性的原子核在外磁场的作用下发生自旋能级分裂，当吸收外来电磁辐射时，将发生核自旋能级的跃迁，从而产生核磁共振现象。

化学位移是由于电子的屏蔽作用而引起的核磁共振吸收位置的移动。2.化学位移绝对值的差别很小，要精确测量难度很大，所以需要选定一个标准物质，将其核磁共振吸收峰的位置定为零，采用相对数值表示法来表示化合物吸收峰的位置。3.常用的标准物质为四甲基硅烷（TMS）， 化学位移=0。原因：（1）TMS为对称分子，四个甲基上所连H化学环境相同，属于化学等价质子，其吸收峰只有一个；（2）硅与碳属于同一主族元素，电负性相差不大，TMS中的质子所受屏蔽作用较大，共振吸收峰出现在高场。4.绝大多数有机物中质子所受屏蔽效应比TMS 小，吸收峰处于低场，在TMS吸收峰的左侧5.影响化学位移的因素(1) 电负性：吸电子基团使得H核周围的电子云密度降低，屏蔽效应减小，化学位移值 增大；给电子基团使得H核周围的电子云密度升高，屏蔽效应增大，化学位移值 减小。(2) 值会随着H核与吸电子基团距离的增大而减小。（可理解为：H核距离吸电子基团越远，H核周围电子云密度降低得越少，屏蔽效应越大，化学位移越小）总结：(1)化学位移与H核周围的电子云密度有关，可根据H核周围的电子云密度判断化合物吸收峰与标准物质吸收峰的位置关系。(2)处于屏蔽区的质子，化学位移向高场移动；处于去屏蔽区的质子，化学位移向低场移动。(3)高场位于标准物质的右边，低场位于标准物质的左边。

化学位移的单位怎么是ppm的原因是：核磁共振中，化学位移本身的单位并不是ppm，而其单位是Hz，之所以单位为ppm，是因为我们常说的化学位移指的是化学相对位移。打个比方，当使用200MHz的NMR时，某个位移值为200Hz，这时就采用相对位移，用200Hz去除以200MHz，得到的是百万分之一，也就是1ppm；之所以这么表示是因为，位移值会随着机器的不同而改变，例如刚才的例子，在400MHz的NMR下，位移值是400Hz，只是相对位移不变，仍然是1ppm。化学位移的公式表示：现采用相对数值表示法，即选用一个标准物质，以该标准物的共振吸收峰所处位置为零点，其它吸收峰的化学位移值根据这些吸收峰的位置与零点的距离来确定。化学位移值普遍采用无量纲的δ值表示，其定义为：四甲基硅吸收峰的δ值为零，其右边的δ值为负，左边δ值为正。扩展资料：影响因素：化学位移取决于核外电子云密度，因此影响电子云密度的各种因素都对化学位移有影响，影响最大的是电负性和各向异性效应。1. 电负性电负性大的原子（或基团）吸电子能力强，降低了氢核外围的电子云密度，屏蔽效应也就随之降低，其共振吸收峰移向低场，化学位移会变大；反之，给电子基团可增加氢核外围的电子云密度，共振吸收峰移向高场，化学位移会变小。2. 各向异性效应当分子中的某些基团的电子云排布不呈球形对称时，它对邻近的1H核产生一个各向异性的磁场，从而使某些空间位置上的核受屏蔽，而另一些空间位置上的核去屏蔽，这一现象称为各向异性效应（anisotropic effect）。各向异性效应是由于成键电子的电子云分布不均匀导致在外磁场中所产生的感应磁场的不均匀所引起的，如苯环上质子的化学位移移向低场，δ在7左右。3. 氢键氢键对羟基质子化学位移的影响与氢键的强弱及氢键的电子给予体的性质有关，在大多数情况下，氢键产生去屏蔽效应，使1H的δ值移向低场。4. 溶剂效应有时同一种样品使用不同的溶剂也会使化学位移值发生变化，这称为溶剂效应。活泼氢的溶剂效应比较明显。能引起溶剂效应的因素很多，如N,N-二甲基甲酰胺在CDCl3中测定时，δαH>δβH，而在被测物中加入适量苯溶剂后可使δαH<δβH, 这是因为苯能与之形成复合物，而使两种氢处于不同的屏蔽区所致。5. 范德华效应当取代基与共振核之间的距离小于范德华半径时，取代基周围的电子云与共振核周围的电子云就互相排斥，共振核周围的电子云密度降低，使质子受到的屏蔽效应明显下降，质子峰向低场移动，这称为范德华效应。参考资料：百度百科-化学位移

化学位移定义：由于有机分子中各种质子受到不同程度的屏蔽效应,因此在核磁共振谱的不同位置上出现吸收峰. 某一物质吸收峰的位置与标准质子吸收峰位置之间的差异称为该物质的化学位移（chemical shift）,常以δ表示重要性：这是用来推测分子结构的重要参数.不同的官能团在相同的频率下对应的有不同的化学位移数,但是化学位移的差别约为百万分之十,精确测量十分困难,现采用相对数值.以四甲基硅（TMS）为标准物质,规定：它的化学位移为零,然后,根据其它吸收峰与零点的相对距离来确定它们的化学位移值.然后根据谱图便可以推测分子结构了.

化学位移的单位怎么是ppm的原因是：ppm的意思是百万分之一。而化学位移，其实是一个相对位移。比如当使用200MHz的NMR时，某个位移值为200Hz，这时就采用相对位移，用200Hz去除以200MHz，得到的相对位移是百万分之一，也就是1ppm。化学位移的定义：用核磁共振仪可以记录到有关信号，处在不同化学环境中的氢原子因产生共振时吸收电磁波的频率不同，在谱图上出现的位置也不同，各类氢原子的这种差异被称为化学位移。其计算公式为：

化学位移伪影是指由于化学位移现象导致的图像伪影。由于化学位移现象，脂肪中的质子与水中的质子进动频率存在差异，在影像上表现为脂肪与水的界面上出现黑色和白色条状或月牙状的阴影。常发生在频率编码方向上，随着静磁场强度增加，伪影表现严重。已知总接收带宽和频率编码步数，化移伪影的大小是可以预估的。例如，若总接收带宽设32kHz，频率编码方向上分256个像素，则单个像素的带宽为32000/256=125Hz。考虑到1.5T上水-脂频差是215Hz，则相应的化移伪影大小 (215Hz) / (125Hz/pixel)=1.7pixels。显然，减小像素带宽会加重伪影。所以对于化移伪影有可能模糊界面的部位，如视神经和眼眶脂肪，就要注意避免使用窄带类成像技术。因为化移伪影是一种基于频率的磁共振信号空间重建的错位，所以典型地主要在频率编码也就是读出梯度方向上。但回波平面成像时例外，化移伪影发生于影像的相位编码方向上。另外，在2D傅立叶变换成像中，层面选择/定义也是根据不同层面的对应频率来的。所以化移伪影不仅会出现在层面内，而且会发生于层间。这种层间的化移伪影表现为某些解剖结构部位的暗环或亮环；还有一些不够显著，导致图像质量的不同程度的下降。最后要说明的是，要明白不仅是在水-脂之间有化移伪影，任何两种物质间都有。例如，眼科用的硅油和水之间的化移在4.4ppm，填胸矽胶和水4.7ppm。所以，在胸、头、颈以及四肢等部位，有硅注射或植入物的地方，就会出现化学位移伪影。

酚羟基的化学位移值能到12.95吗酚的光波谱特征在酚的IR谱中，有芳环和羟基两个特征；酚羟基显示出缔合分子的的较宽和较强的吸收峰，并且酚羟基的红外吸收波数很高；在氯仿溶液中，硝基苯酚的三个异构体的O-H 吸收峰分别在3200cm-1(o -)，3520cm-1(m -)，3520cm-1(p -)，这与醇中的C-O键（在1050～1200cm-1）有所不同。在不同取代的酚HMR谱中，羟基上的质子以及芳环上质子的化学位移有明显区别；酚羟基上质子的化学位移范围一般在4～7；对酚羟基上质子化学位移的影响因素有溶剂的性质、浓度、温度、取代基等。能够形成较强的分子内氢键的酚或者环上有强吸电子基的酚，其羟基上质子的化学位移值一般都在10～12左右。化学用途酚是重要的化工原料，可制造染料、药物、酚醛树脂、胶粘剂等。邻苯二酚、对苯二酚可作显影剂。苯酚及其类似物可制做杀菌防腐剂。分子生物学试验中，酚可以用来做去除蛋白质的试剂。许多酚类化合物有杀菌能力，可用作消毒杀菌剂，各种甲基酚异构体的混合物统称为甲酚，甲酚与肥皂溶液的混合物俗称为来苏儿，是医院内常用的杀菌剂。

定义：由于有机分子中各种质子受到不同程度的屏蔽效应，因此在核磁共振谱的不同位置上出现吸收峰。 某一物质吸收峰的位置与标准质子吸收峰位置之间的差异称为该物质的化学位移（chemical shift），常以δ表示重要性：这是用来推测分子结构的重要参数。不同的官能团在相同的频率下对应的有不同的化学位移数，但是化学位移的差别约为百万分之十，精确测量十分困难，现采用相对数值。以四甲基硅（TMS）为标准物质，规定：它的化学位移为零，然后，根据其它吸收峰与零点的相对距离来确定它们的化学位移值。然后根据谱图便可以推测分子结构了。

化学位移是核磁共振中的一种术语，是化学环境所引起的核磁共振信号位置的变化，具体是用数字来进行表达(相对的，通常使用四甲基硅烷作为基准)。如果你是大学生，有空去帮师兄师姐做做实验你就会很了解，核磁共振是化合物结构解析的常用手段。影响因素可以表示为内因:有吸电子基团的向低场移动(因为屏蔽作用减少，弛豫所需的外磁场强度可以不用很高);共轭效应的向低场移动(如苯环上的H向低场移动);还有就是各向异构引起的，比如苯环的上方空间(不是苯环上)的H向高产移动，三键的键方向的向高产移动，双建上方的H向高产移动。这些有机化学的课本上都有，注意分类，别弄混淆。外因:溶剂，温度(低温的时候有的单峰肯能会列分成双峰，如DMF的)

化学位移中数字越大是低场,不是高场。因为低场矢量为0的分力越小,而分力越小,越容易产生位移,所以化学位移中数字越大是低场。 核磁共振中,化学位移本身是有单位的,其单位是Hz,之所以最终没有单位,是因为我们常说的化学位移指的是化学相对位移。

在豆丁网、百度学术、百度文库等平台可以查询相关信息。带有磁性的原子核在外磁场的作用下发生自旋能级分裂，当吸收外来电磁辐射时，将发生核自旋能级的跃迁，从而产生核磁共振现象。在有机化合物中，处在不同结构和位置上的各种氢核周围的电子云密度不同，导致共振频率有差异，即产生共振吸收峰的位移，称为化学位移。